Китайские ученые из Фуданьского университета разработали первый в мире двухмерный чип флэш-памяти на основе технологии CMOS.
Данная разработка знаменует собой прорыв в микроэлектронике, объединив ультрабыструю флэш-память с классической полупроводниковой структурой. Результаты исследования были опубликованы в научном журнале Nature.
Полученный чип демонстрирует поддержку восьмибитных командных операций, 32-битных высокоскоростных параллельных операций и произвольного доступа, достигая производительности ячейки памяти на уровне 94,3%. Отмечается, что скорость работы разработки превосходит современные аналогичные технологии.
Особенность разработки — использование двумерных полупроводниковых материалов толщиной менее 1 нанометра (всего один атом). Ученые подчеркнули, даже самые современные кремниевые чипы имеют толщину в десятки нанометров.
Как пояснил руководитель исследования Чжоу Пэн, это принципиально новая архитектура материалов, которая пока не применяется в существующих производственных линиях интегральных схем.
Разработка создана для удовлетворения растущих потребностей искусственного интеллекта в высокоскоростном доступе к данным.
