Команда ученых из Нанькайского университета в Китае разработала новый метод создания монокристаллических металлических нанолистов, который позволяет легко переносить их на двумерные подложки. Ученые продемонстрировали успешное нанесение диэлектрических слоев толщиной 2 нанометра на основе оксидов алюминия (Al2O3) или гафния (HfO2) для высокоэффективных транзисторов с верхним затвором.
В статье в журнале Nature Electronics отмечается, что этот метод синтеза двумерных металлов, выращенных в вертикальном положении с использованием атомно-слоевого осаждения (ALD), устраняет проблемы несовместимости ALD с двумерными полупроводниками. Он также снижает негативное влияние при нанесении верхнего уровня затворного электрода на ультратонкие диэлектрики.
Это может привести к прорывам в создании двумерных полевых транзисторов с толщиной эквивалентной емкости всего в несколько нанометров. Таким образом, новая методика открывает возможности для повышения эффективности двумерных полевых транзисторов без необходимости использования подложки.
