Транзисторы, ключевые элементы микросхем, сталкиваются с вызовами из-за миниатюризации, и создание транзисторов на основе инновационных принципов становится важным для повышения эффективности. Транзисторы с горячими носителями, использующие дополнительную кинетическую энергию носителей заряда, обещают улучшение скорости и функциональности, однако их эффективность традиционных методов была ограничена.
Команда профессоров Лю Чи, Сунь Дунмина и Чэн Хуэймина из Института металлов Китайской академии наук предложила новый способ создания горячих носителей — стимулированная эмиссия нагретых носителей (SEHC). Они разработали транзистор с горячим эмиттером (HOET) с рекордно низким подпороговым порогом менее 1 мВ/дек и соотношением пикового тока к минимальному более 100, открывая возможности для низкопотребляющих многофункциональных устройств. Исследование представлено в журнале Nature.
Графен и германий, благодаря своим уникальным свойствам, позволяют создавать гетероструктуры и новые типы транзисторов. Специалисты из IMR представили транзистор с горячим источником на основе синергии графена и германия, демонстрируя соотношение пикового и минимального токов более 100 при обычных температурах, что подтверждает его потенциал для сложных логических операций.
