Исследователи из Саудовской Аравии разработали новый метод создания многослойных гибридных микрочипов. Технология позволяет объединять до 41 слоя разнородных материалов в шести транзисторных прослойках.
Ученые из Университета имени короля Абдаллы (KAUST) разработали инновационный метод создания многослойных гибридных микрочипов, которые объединяют традиционные кремниевые компоненты с современными материалами. Эта технология позволяет интегрировать в чипы различные датчики и создавать гибкую многослойную электронику.
По словам авторов исследования, современная микроэлектроника приближается к физическим пределам и переход к трехмерной компоновке транзисторов представляет собой перспективное решение проблемы дальнейшего уменьшения размеров элементов.
Ключевым достижением исследователей стало преодоление технологических барьеров, связанных с соединением разнородных материалов. Ранее создание таких структур ограничивалось двумя слоями из-за повреждения нижних уровней при высокотемпературной обработке. Саудовским ученым удалось снизить температуру производства до 150 градусов и повысить гладкость межслойных поверхностей, сообщает пресс-служба университета KAUST.
В результате инженеры успешно изготовили свыше 100 гибридных чипов, содержащих 41 слой различных материалов, объединенных в шесть транзисторных уровней. На основе этих элементов были созданы прототипы ячеек энергонезависимой памяти для SSD-накопителей и логические блоки.
