Исследователи Университета науки и технологий имени короля Абдаллы (KAUST) представили инновационный проект, включающий в себя трехмерные (3D) интегрированные транзисторы, способные накладываться вертикально один на другой. Ли и его команда сосредоточились на решении проблем, традиционно стоящих перед полупроводниковой отраслью, включая замедление прогресса в соответствии с законом Мура и необходимость поиска новых материалов и архитектур для дальнейшего повышения эффективности транзисторов.
В своей работе, опубликованной в журнале Nature Electronics, исследователи показали, как достичь рекордного числа транзисторов в одной конструкции. Это может означать значительный скачок в эффективности электронных устройств. Они предложили нестандартные решения, которые выходят за рамки традиционного двухмерного устройства, тем самым открывая новые горизонты для развития полупроводниковой технологии.
Создавая инновационную технологию с минимальными тепловыми потерями и гладкой поверхностью контактов, команда разработала транзистор на основе 10-нанометровых полупроводниковых материалов. Исследователи стремились максимально эффективно использовать площадь кремниевой пластины.
Применение вертикального стекирования дало возможность разместить большее количество транзисторов в ограниченном пространстве, что значительно увеличило вычислительные возможности и энергоэффективность устройств.